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求助！！！有没人研究si和beta-fesi界面处的应变随温度的变化（一维情况下）？
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我自己的算法是 （1）si随温度的晶格常数的变化，和beta-fesi2晶格随温度的变化 （2）两个晶格要匹配，假设晶格变化各取一半，即 Si与fesi2应变，两者界面处晶格由于引力而变成匹配。Si变为si和fesi2两者和的一半，变化量为两者和的一半减去si的,应变为变化量除以si的。 现在想问问大家这样处理对不对？ 边条为：500度下si和fesi2正常的晶格 750度退火时，样品在常温下观察fesi2和si应变驰豫。 500度退火时，fesi2样品由于热胀系数较si小，bc向受到拉力，a向变成伸长，由750度的0.99nm变成500度时候的1.08nm，引入了热失配应变，故除了正常情况下的晶格失配还应该有热失配。Fesi2由1.08变为0.99，变化量为0.09nm但此时是假设si未受到应力，我们将假设更正为si与fesi2同时受到应力，且变化量为fesi2变化量的一半，即为0.045nm（a向）。我们以此为边界条件，重新改写si随温度变化公式。 我的邮件是shiwujiang@gmai.com [ Last edited by shiwujiang on 2008-1-23 at 10:36 ] |
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