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求助!!!有没人研究si和beta-fesi界面处的应变随温度的变化(一维情况下)?
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我自己的算法是 (1)si随温度的晶格常数的变化,和beta-fesi2晶格随温度的变化 (2)两个晶格要匹配,假设晶格变化各取一半,即 Si与fesi2应变,两者界面处晶格由于引力而变成匹配。Si变为si和fesi2两者和的一半,变化量为两者和的一半减去si的,应变为变化量除以si的。 现在想问问大家这样处理对不对? 边条为:500度下si和fesi2正常的晶格 750度退火时,样品在常温下观察fesi2和si应变驰豫。 500度退火时,fesi2样品由于热胀系数较si小,bc向受到拉力,a向变成伸长,由750度的0.99nm变成500度时候的1.08nm,引入了热失配应变,故除了正常情况下的晶格失配还应该有热失配。Fesi2由1.08变为0.99,变化量为0.09nm但此时是假设si未受到应力,我们将假设更正为si与fesi2同时受到应力,且变化量为fesi2变化量的一半,即为0.045nm(a向)。我们以此为边界条件,重新改写si随温度变化公式。 我的邮件是shiwujiang@gmai.com [ Last edited by shiwujiang on 2008-1-23 at 10:36 ] |
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