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张陈陈张

铜虫 (小有名气)


[交流] 禁带宽度变窄效应与莫斯-布尔斯坦效应区别?

RT:当高掺杂时候禁带宽度会变窄,而莫斯-不斯坦效应则表明,半导体掺杂增加,带隙发生改变,发生蓝移效应?这两个效应,应该具体对应什么?怎样理解才不矛盾?
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风舞灵动

铜虫 (小有名气)


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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
张陈陈张: 金币+10, 没人回答我问题。。都给你吧。。免得浪费 2014-01-31 22:14:38
你所指的高掺杂是针对特定材料引入的特定掺杂元素吧?是所有的高掺都会引起带隙变窄吗?莫斯-不斯坦效应是普遍原理吗?有没有适用范围?
2楼2014-01-22 22:41:08
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