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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 交流互助 » 禁带宽度变窄效应与莫斯-布尔斯坦效应区别？
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张陈陈张

铜虫 (小有名气)

[交流] 禁带宽度变窄效应与莫斯-布尔斯坦效应区别？

RT:当高掺杂时候禁带宽度会变窄，而莫斯-不斯坦效应则表明，半导体掺杂增加，带隙发生改变，发生蓝移效应？这两个效应，应该具体对应什么？怎样理解才不矛盾？
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1楼 2014-01-19 21:02:54
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风舞灵动

铜虫 (小有名气)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
张陈陈张: 金币+10, 没人回答我问题。。都给你吧。。免得浪费 2014-01-31 22:14:38
你所指的高掺杂是针对特定材料引入的特定掺杂元素吧？是所有的高掺都会引起带隙变窄吗？莫斯-不斯坦效应是普遍原理吗？有没有适用范围？
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2楼2014-01-22 22:41:08
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