| 查看: 2550 | 回复: 1 | ||||
[交流]
禁带宽度变窄效应与莫斯-布尔斯坦效应区别？
|
| RT:当高掺杂时候禁带宽度会变窄，而莫斯-不斯坦效应则表明，半导体掺杂增加，带隙发生改变，发生蓝移效应？这两个效应，应该具体对应什么？怎样理解才不矛盾？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 纳米材料（MECHANISM) |
» 猜你喜欢
关于核磁制样
已经有3人回复
-
郑州大学申博
已经有6人回复
-
人工智能虚构史料、伪造文献频现，多家期刊声明抵制
已经有5人回复
-
CsPbI2Br全无机钙钛矿SEM图像异常分析
已经有8人回复
-
申请科研项目纯靠实力能成功吗？
已经有12人回复
2楼2014-01-22 22:41:08