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wesley

基片上加偏压吗,还是用的射频电源,

基片加射频电源会产生一个负的自偏压

如果加直流负偏压,可能可以增加H含量,

H+受到负偏压吸引

如果加直流正偏压,情况很难说,主要是我没有用过:)

按照我的理解,你的文献中提到的是在高离化率和低电子能量情况下才出现H—离子,这种情况在磁控溅射中很难出现,磁控溅射的等离子体属于冷等离子体,离化率也不会高。

[ Last edited by wesley on 2008-1-11 at 17:16 ]
11楼2008-01-11 17:12:20
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Tavano

铁杆木虫 (正式写手)

文献上的ECR也是冷等离子体。

V.P.Goretskii, A.V.Ryabtsev, I.A.Soloshenko, A.F.Tarasenko, A.I.Tschedrin的一篇文章PHYSICAL PROCESSES IN THE NEGATIVE ION SOURCE WITH REFLECTED DISCHARGE说

“that main mechanism of negative hydrogen ion formation is a dissociative attachment of electrons to oscillatory excited molecules H2:
e + H2 (v = 5 ?8) -> H- + H.

The destruction of H- ions is mainly determined by detachment under the influence of H- ion collisions with hot electrons of plasma:
e + H- ->e + e + H.

The rate of the last process drops dramatically with electron temperature decrease, this explains the presence of maximum for H— concentration in the region between discharge column and anode, where electron temperature is low.”

其他一些文献上说产生H-的关键是要有大量的cold electron,在磁控溅射中由于电子被磁场约束能量逐渐减小,还是有很大的可能性产生这样的条件的。但是看了一些文献并没有找到明确的答案,有没有条件来自己做试验搞清楚这件事情。

想知道H到底是产生正离子还是负离子也正是希望通过基片的偏压来控制其含量。

多谢wesley兄弟的积极讨论。看来坛子里搞等离子体的人还是很少。

[ Last edited by Tavano on 2008-1-11 at 17:34 ]
12楼2008-01-11 17:30:30
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