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lwb870525木虫 (著名写手)
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1、测半导体薄膜的I-V曲线时，为什么作图都是将I放在y轴，V放在x轴？（我的理解是若横坐标是I，纵坐标是V，那么根据曲线的线性与否就直接可以判断金属与半导体的接触是欧姆接触还是肖特基接触；若是欧姆接触。直接看斜率不就能估算电阻的大小） 2、半导体薄膜的光致发光测试，即PL测试，看到有文献中说可以加偏压测试，这个是怎么回事？（我印象中光致发光测试是用一束激光照射到半导体上面，激发价带的电子到导带，然后电子跃迁回价带而发光，再收集发光的光谱。那么，加上偏压有什么用处呢？）  PL.png |
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yyman660
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2楼2013-12-27 16:32:47
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1、我就是看到好多在研究n型或p型欧姆接触的时候，所测的I-V曲线基本上都是将V放在x轴，I放在y轴，为什么不反过来呢？（或者说V放在x轴，I放在y轴有什么特别的意义？） 2、文献是APL上的一篇， Applied Physics Letters 82, 625 (2003)。 http://scitation.aip.org/search? ... ion14=elocationpage 谢谢！ |
3楼2013-12-27 16:54:45
yyman660
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4楼2013-12-27 20:02:14
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5楼2013-12-27 21:01:49
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6楼2013-12-28 00:14:26
