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lwb870525

木虫 (著名写手)

[求助] 问两个问题 已有1人参与

1、测半导体薄膜的I-V曲线时,为什么作图都是将I放在y轴,V放在x轴?(我的理解是若横坐标是I,纵坐标是V,那么根据曲线的线性与否就直接可以判断金属与半导体的接触是欧姆接触还是肖特基接触;若是欧姆接触。直接看斜率不就能估算电阻的大小)

2、半导体薄膜的光致发光测试,即PL测试,看到有文献中说可以加偏压测试,这个是怎么回事?(我印象中光致发光测试是用一束激光照射到半导体上面,激发价带的电子到导带,然后电子跃迁回价带而发光,再收集发光的光谱。那么,加上偏压有什么用处呢?)
问两个问题
PL.png
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人一旦过于认真,结果往往注定是悲剧;玩世不恭,有时候或许是喜剧,最多也就是部闹剧。喜剧皆大欢喜,闹剧一笑而过,悲剧却是一生的痛,赢得了社会,却输了自己
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yyman660

木虫 (著名写手)

1. LED的IV curve也有I在y,V在X,这个无关紧要吧
2. 能否把论文链接共享下?
2楼2013-12-27 16:32:47
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lwb870525

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yyman660 at 2013-12-27 16:32:47
1. LED的IV curve也有I在y,V在X,这个无关紧要吧
2. 能否把论文链接共享下?

1、我就是看到好多在研究n型或p型欧姆接触的时候,所测的I-V曲线基本上都是将V放在x轴,I放在y轴,为什么不反过来呢?(或者说V放在x轴,I放在y轴有什么特别的意义?)
2、文献是APL上的一篇, Applied Physics Letters 82, 625 (2003)。
http://scitation.aip.org/search? ... ion14=elocationpage

谢谢!
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3楼2013-12-27 16:54:45
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yyman660

木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by lwb870525 at 2013-12-27 16:54:45
1、我就是看到好多在研究n型或p型欧姆接触的时候,所测的I-V曲线基本上都是将V放在x轴,I放在y轴,为什么不反过来呢?(或者说V放在x轴,I放在y轴有什么特别的意义?)
2、文献是APL上的一篇, Applied Physics L ...

1. 是不是欧姆接触,把坐标轴转90度其实无关紧要的。
2. 这篇文章是为了解释而实验,棒子在灌水,加Bias会影响QCSE效应,进而影响Peak wavelength,LZ可以查查QCSE,就明白了
4楼2013-12-27 20:02:14
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lwb870525

木虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by yyman660 at 2013-12-27 20:02:14
1. 是不是欧姆接触,把坐标轴转90度其实无关紧要的。
2. 这篇文章是为了解释而实验,棒子在灌水,加Bias会影响QCSE效应,进而影响Peak wavelength,LZ可以查查QCSE,就明白了...

加bias的确会影响QCSE,但是两个都是加了偏压的,图2中a比b的Peak wavelength的变化趋势要小,可能这个是作者想主要说明的吧。
人一旦过于认真,结果往往注定是悲剧;玩世不恭,有时候或许是喜剧,最多也就是部闹剧。喜剧皆大欢喜,闹剧一笑而过,悲剧却是一生的痛,赢得了社会,却输了自己
5楼2013-12-27 21:01:49
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yyman660

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
lwb870525: 金币+15, ★★★很有帮助, 谢谢了,希望以后能跟您有更多交流。 2013-12-28 10:05:09
引用回帖:
5楼: Originally posted by lwb870525 at 2013-12-27 21:01:49
加bias的确会影响QCSE,但是两个都是加了偏压的,图2中a比b的Peak wavelength的变化趋势要小,可能这个是作者想主要说明的吧。...

波长变化除了QCSE还有filling effect,作者想说明前者量子点比较均匀,所以随偏压变化小

[ 发自小木虫客户端 ]
6楼2013-12-28 00:14:26
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