| 查看: 415 | 回复: 1 | |||
[求助]
请问SiC外延生长石墨烯时问什么是Si先蒸发？
|
| 在SiC外延生长石墨烯时为什么是Si首先蒸发出来，C也蒸发吗？怎么解释呀？ |
回复此楼» 猜你喜欢
省级国家级人才计划申报
已经有0人回复
-
2026博士申请-成果：一区一篇，二区一篇
已经有1人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有114人回复
-
探究TGF-β在癌症免疫调控中的作用机制|肿瘤
已经有2人回复
-
探究TGF-β在癌症免疫调控中的作用机制|肿瘤
已经有10人回复
-
所以当初说在欧美生活𣎴用讲人情世故的人怎么生活的
已经有12人回复
-
气相二氧化硅
已经有0人回复
-
求问欧洲陶瓷JECS审稿周期
已经有3人回复
-
求助Journal of Alloys and Compounds剘刊2014年612卷的封皮、目录、版权页或封底
已经有5人回复
-
碳化硅
已经有0人回复
-
TEM衍射斑点求助
已经有1人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- [AM最新论述]石墨烯纳米带在碳化硅衬底上外延可控生长
已经有24人回复
2楼2013-12-16 10:58:25