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[AM最新论述]石墨烯纳米带在碳化硅衬底上外延可控生长
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最新一期的advance materials 刊发了韩国：Qingsong Huang , Jae Joon Kim的最新成果： Width-Tunable Graphene Nanoribbons on a SiC Substrate with a Controlled Step Height 作者报道了在碳化硅衬底上可控制备石墨烯纳米带的方法，利用低压腐蚀法在碳化硅衬底上制备高度可变的台阶（1-100nm）,然后再利用外延生长的办法，在台阶的侧面上生长出石墨烯纳米带。 文章5页，文献38篇。  201202746_ftp.jpg[ Last edited by haldea on 2012-12-13 at 15:22 ] |
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2012-12-13 20:25
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轻轻红过25楼
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