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| Layer-Resolved Graphene Transfer via Engineered Strain Layers（Science）石墨烯由于其优秀的电学性能而被寄予厚望，但是高质量的石墨烯生长一直是个难题。在铜衬底上生长的石墨烯充满褶皱而且没有单一的取向。SiC（0001）面上生长的石墨烯具有单一的取向，但是SiC上生长的石墨烯的转移问题一直没有解决。这里，Jeehwan Kim等人利用石墨烯与不同衬底之间的结合能不同原理，通过在SiC表面上镀上一层Ni应力层从而剥离石墨烯，从而实现石墨烯的转移。[ Last edited by congqin312 on 2013-12-5 at 21:08 ] |
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2013-12-04 21:19:03, 706.5 K
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73楼2015-02-11 22:57:20
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2013-12-04 21:40
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huwei023楼
2013-12-04 21:52
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hyf10164楼
2013-12-05 08:31
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李飞明8楼
2013-12-06 10:35
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tainanlic10楼
2013-12-07 05:44
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雷智锋石芸竹11楼
2013-12-07 10:29
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shbhk201212楼
2013-12-07 15:26
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fmbs11013楼
2013-12-07 16:58
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这总没人用吧14楼
2013-12-09 08:55
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