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分享Science上的一篇关于高质量石墨烯转移的文章已有1人参与
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| Layer-Resolved Graphene Transfer via Engineered Strain Layers（Science）石墨烯由于其优秀的电学性能而被寄予厚望，但是高质量的石墨烯生长一直是个难题。在铜衬底上生长的石墨烯充满褶皱而且没有单一的取向。SiC（0001）面上生长的石墨烯具有单一的取向，但是SiC上生长的石墨烯的转移问题一直没有解决。这里，Jeehwan Kim等人利用石墨烯与不同衬底之间的结合能不同原理，通过在SiC表面上镀上一层Ni应力层从而剥离石墨烯，从而实现石墨烯的转移。[ Last edited by congqin312 on 2013-12-5 at 21:08 ] |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Science-2013-Kim-833-6.pdf
2013-12-04 21:19:03, 706.5 K
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