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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 能用水热法做离子扩散掺杂吗？
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zhaojunwei168

木虫 (小有名气)

[求助] 能用水热法做离子扩散掺杂吗？

请教各位大侠一个问题：
目前难题：我目前做水热合成，想在合成出的基质材料里掺杂另外一种离子，直接在合成过程掺杂不能进行，因为掺杂离子会和合成中用到的另外一种有机物反应。
办法：现在想利用离子扩散的方法掺杂离子，掺杂浓度大约在2%，
请教大侠的问题是：把合成出的基质材料重新放入反应釜里，加入掺杂离子的水溶液，利用水热法，掺杂离子能扩散到基质材料里吗？注意事项是什么？怎么做比较好？
请大侠们赐教，内行的回答，不懂的就不要瞎搀和了，问题解决了，再送金币100，感谢！
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1楼2013-11-30 19:52:52
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iOstar

银虫 (正式写手)
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6楼: Originally posted by zhaojunwei168 at 2013-12-02 19:21:49
大侠如果懂行，请多说两句，不要惜墨如金的。
基质材料是四价氧化物半导体，掺杂离子是三价金属离子，如何通过水热方法，让离子有效的扩散到基质材料，要得到扩散均匀，浓度可控的材料。请指教，多谢！...

要实现程度较深的掺杂（不是表面掺杂）的话建议你不要用这种方法，一般做水热掺杂的只要把两种离子的溶液混合，调好PH，然后水热釜差不多160度水热12小时就能得到掺杂的半导体，简而言之要用共沉淀，不能一种氧化物结晶出来了再把另一个往里掺杂，这样是不行的，水热的条件无法打断M-O键的，顶多得到的是包覆材料，还有掺杂浓度不要太高，一般2%已经是很高的了，太高的话XRD会出杂峰的
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7楼2013-12-02 19:58:07
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smlglw

木虫 (正式写手)
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5楼: Originally posted by zhaojunwei168 at 2013-12-02 19:18:30
不好意思，我强调内行的原因是看到很多帖子的回复是很多不相关的内容，为了金币而来。
我是把基质材料重新分散到水里，然后加入掺杂离子的水溶液，想通过高温水热法让离子扩散掺杂。但是掺杂的效果不理想。希望能 ...

实验室里都是通过掺杂物和基质材料同时沉淀形成的掺杂，通过控制掺杂物的浓度(可能要高于你的目标浓度)来控制实际产物沉淀中的浓度，然后在进行相关表征，直接对基质材料进行掺杂如7楼说的确实是有难度的。
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幸福都是自己给的！
8楼2013-12-03 09:35:27
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iOstar

银虫 (正式写手)
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9楼: Originally posted by zhaojunwei168 at 2013-12-03 11:35:19
共沉淀的掺杂我们也做了很多，方法也掌握，目前遇到的问题这样：我们现在其实想做一种核壳结构的材料，核材料无掺杂，壳材料需要掺杂，核材料表面有一种有机物，这种有机物会和壳材料的掺杂离子反应，所以不能直接 ...

核壳结构我没做过，具体怎么做的我不太懂，按你的描述是否可以试着采用溶胶水热法或者反胶束法，毕竟做这种界面材料利用胶体会是个不错的方法
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10楼2013-12-03 20:32:29
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钢铁神兵

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
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zhaojunwei168: 金币+5, ★有帮助 2013-12-05 14:31:42
你说的情况太模糊了。你那个是直接将基质材料放在溶液中，靠吸附作用可以把离子吸附上，关键看吸附能力大小…

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2楼2013-11-30 21:30:58
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smlglw

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
理论上是可以的，实验室有人就在做这个，但是你说话的口气确实让人不太舒服，所以作为外行我也不愿意多“搀和”了
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zhaojunwei168
幸福都是自己给的！
3楼2013-12-01 02:02:23
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iOstar

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
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zhaojunwei168: 金币+10, ★有帮助 2013-12-05 14:32:22
你的是基质是无机材料比如氧化物半导体么，要是那样的话可以的，不过得控制pH，这方面做得太多了
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zhaojunwei168
4楼2013-12-01 22:58:53
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zhaojunwei168

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3楼: Originally posted by smlglw at 2013-12-01 02:02:23
理论上是可以的，实验室有人就在做这个，但是你说话的口气确实让人不太舒服，所以作为外行我也不愿意多“搀和”了

不好意思，我强调内行的原因是看到很多帖子的回复是很多不相关的内容，为了金币而来。
我是把基质材料重新分散到水里，然后加入掺杂离子的水溶液，想通过高温水热法让离子扩散掺杂。但是掺杂的效果不理想。希望能活得掺杂浓度高，均匀的材料，还望指教，谢谢！
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5楼2013-12-02 19:18:30
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zhaojunwei168

木虫 (小有名气)
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4楼: Originally posted by iOstar at 2013-12-01 22:58:53
你的是基质是无机材料比如氧化物半导体么，要是那样的话可以的，不过得控制pH，这方面做得太多了

大侠如果懂行，请多说两句，不要惜墨如金的。
基质材料是四价氧化物半导体，掺杂离子是三价金属离子，如何通过水热方法，让离子有效的扩散到基质材料，要得到扩散均匀，浓度可控的材料。请指教，多谢！
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6楼2013-12-02 19:21:49
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zhaojunwei168

木虫 (小有名气)
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7楼: Originally posted by iOstar at 2013-12-02 19:58:07
要实现程度较深的掺杂（不是表面掺杂）的话建议你不要用这种方法，一般做水热掺杂的只要把两种离子的溶液混合，调好PH，然后水热釜差不多160度水热12小时就能得到掺杂的半导体，简而言之要用共沉淀，不能一种氧化物 ...

共沉淀的掺杂我们也做了很多，方法也掌握，目前遇到的问题这样：我们现在其实想做一种核壳结构的材料，核材料无掺杂，壳材料需要掺杂，核材料表面有一种有机物，这种有机物会和壳材料的掺杂离子反应，所以不能直接的在生长壳材料时进行共沉淀掺杂，想通过离子扩散的方式对合成好的核壳结构进行掺杂，这是我们的问题所在。能实现表面掺杂也行，但要有一定的深度（10nm)左右，还要掺杂均匀，不然掺杂离子会浓度猝灭。
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9楼2013-12-03 11:35:19
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