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小橙小毅

银虫 (正式写手)

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硒化铋的导带价带是多少额?有知道的大神吗
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

Bi2Se3的带隙宽度为0.35 eV
参见
STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF THERMALLY EVAPORATED Bi2Se3 THIN FILM
Chalcogenide Letters Vol. 5, No. 11, November 2008, p. 297 – 302

则可以算出价带Ev位于电子真空静止能级E0下方4.65eV

NHE在电子真空静止能级E0下方4.5eV
没有困难创造困难也要上网。
3楼2013-11-25 08:53:11
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
861960469: 金币+2, 感谢专家 2013-11-27 11:25:25
Bi2Se3的功函数约4.3 eV ,即导带Ec位于电子真空静止能级E0下方4.3eV
参见
Kordyuk A A, Kim T K, Zabolotnyy V B, Evtushinsky D V, Bauch M, Hess C, Buchner B, Berger H and Borisenko S V 2011 Phys. Rev. B 83 081303(R)
没有困难创造困难也要上网。
2楼2013-11-25 08:48:14
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小橙小毅

银虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by qfw_68 at 2013-11-25 08:53:11
Bi2Se3的带隙宽度为0.35 eV
参见
STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF THERMALLY EVAPORATED Bi2Se3 THIN FILM
Chalcogenide Letters Vol. 5, No. 11, November 2008, p. 297 – 302

则可以算出价带Ev位于 ...

请问这个带隙宽度是固定的吧?用不同波长的光照射有影响吗?
4楼2013-11-27 09:51:30
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

带隙宽度与温度、应力等有关。
一般光强下根本不用考虑光照的影响。
光子波长λ对应着光子的能量hν,其中λν=C,C是光速。
光子能量hν低于带隙Eg的不被吸收;光子能量大于等于带隙的才被吸收引起电子从价带到导带的吸收。
建议楼主补一补“半导体物理”的知识,这些是半导体物理很基本的常识。
没有困难创造困难也要上网。
5楼2013-11-27 11:40:21
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