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chenmeng_413

新虫 (初入文坛)

[求助] 光刻工艺 已有2人参与

请教各位大神,我现在在Si片上做光刻,胶是RZJ—304,具体参数如下:
匀胶:低500 高4000          前烘:100度  90s          曝光:8s          显影:90s          后烘:120度  2min
可效果并不怎么理想,不知哪些参数需要改动?
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zqhwonder

铁虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

根据你的参数来看,可能有以下原因:1,曝光时间过短,可以将曝光时间增至半分钟以上;
2,显影时间过长,一般在1:10的显影液里,显影十秒左右就可以了,时间过久,可能会把光刻胶和玻璃胶都溶解了
3,硅的表面与胶的粘附效果不太好,光刻之前需要对其表面进行改性处理,一般使用HMDS增粘剂进行处理(有毒!!)
16楼2014-03-29 15:40:03
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


感谢参与,应助指数 +1
chemlh: 应助指数-1 2013-12-01 21:07:30
神啊,赐予我力量吧!让我穿越到楼主的显微镜前,帮他解决问题吧!
2楼2013-11-22 11:53:34
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wbcui

至尊木虫 (知名作家)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-11-22 12:53:34
神啊,赐予我力量吧!让我穿越到楼主的显微镜前,帮他解决问题吧!

此楼非常了解光刻么?
3楼2013-11-22 16:53:47
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


引用回帖:
3楼: Originally posted by wbcui at 2013-11-22 16:53:47
此楼非常了解光刻么?...

如果楼主提供足够信息的话
4楼2013-11-22 17:41:01
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