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用氧化硅做绝缘层制作FET器件。（求助）
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| 我用pecvd方法镀了一层200nm的氧化硅薄膜当成绝缘层制成FET器件，测量时栅源之间的电流和源漏之间的电流可以比拟，是氧化硅薄膜的问题吗？各位大侠指点。 |
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yswyx 
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