| 查看: 479 | 回复: 1 | |||
[求助]
用氧化硅做绝缘层制作FET器件。（求助）
|
| 我用pecvd方法镀了一层200nm的氧化硅薄膜当成绝缘层制成FET器件，测量时栅源之间的电流和源漏之间的电流可以比拟，是氧化硅薄膜的问题吗？各位大侠指点。 |
回复此楼» 猜你喜欢
请问对标matlab的开源软件octave的网站https://octave.org为什么打不开？
已经有1人回复
-
求助两种BiOBr晶体的CIF文件（卡片号为JCPDS 09-0393与JCPDS 01-1004 ）
已经有0人回复
-
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有265人回复
-
哈尔滨工程大学材化学院国家级青年人才-26年硕士招生
已经有0人回复
-
求助Fe-TCPP、Zn-TCPP的CIF文件，或者CCDC号
已经有0人回复
-
河北大学-招收26年秋季入化学博士1名
已经有0人回复
-
XPS/?λXPS
已经有0人回复
-
河北大学-招收化学博士1名
已经有0人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 石英玻璃与硅酸盐玻璃
已经有12人回复
- [求助]FET尺寸问题
已经有4人回复
- 有关氮氧化硅的（Si2N2O）腐蚀的问题
已经有8人回复
- 【求助】如何清洗SiO2/Si片
已经有5人回复
- 【求助】急求：关于FET制作与测量的问题，该是n型却p型
已经有6人回复
- 【求助】FET测试 氧化硅绝缘层漏电
已经有20人回复
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.1
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
2楼2013-11-21 13:15:36