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桃苦亦兮

铜虫 (小有名气)

[求助] 新手要做毕设了,有这么多题目,不知道区别,希望虫友推荐和说出推荐理由

a-Si:H/c-Si薄膜沉积生长的分子动力学模拟研究
EDIP势与SW势在描述硅熔化与结晶过程的特性对比研究
MEAM势与Tersoff势在描述硅熔化与结晶过程的特性对比研究
不同类型多晶硅锭位错分布特性研究
多晶硅锭底部与中部位错起源观察与分析
晶核缺陷对硅晶核长大影响的分子动力学模拟研究
杂质C对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究
杂质N对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究

只有这么多的分
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hanhan1020

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
月只蓝: 金币+2, 感谢指导! 2013-11-22 14:32:01
杂质C对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究
杂质N对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究
这两个靠谱
没有读不下的书,只有不努力的自己。
4楼2013-11-21 21:09:48
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pigrass

专家顾问 (著名写手)

伊卡斯特的小猪

★ ★
月只蓝: 金币+2, 感谢指导! 2013-11-20 13:49:40
个人感觉

EDIP势与SW势在描述硅熔化与结晶过程的特性对比研究
MEAM势与Tersoff势在描述硅熔化与结晶过程的特性对比研究
杂质C对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究
杂质N对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究

这几个在建模或模拟方面会相对简单。。。
#有问题发论坛,不接受私聊#爱晶体,爱MaterialsStudio#MS专辑点击右边#http://emuch.net/taotie/41673.html#物性数据#http://webbook.nist.gov/chemistry/#
3楼2013-11-20 12:49:14
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