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新手要做毕设了，有这么多题目，不知道区别，希望虫友推荐和说出推荐理由
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a-Si:H/c-Si薄膜沉积生长的分子动力学模拟研究 EDIP势与SW势在描述硅熔化与结晶过程的特性对比研究 MEAM势与Tersoff势在描述硅熔化与结晶过程的特性对比研究 不同类型多晶硅锭位错分布特性研究 多晶硅锭底部与中部位错起源观察与分析 晶核缺陷对硅晶核长大影响的分子动力学模拟研究 杂质C对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究 杂质N对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究 只有这么多的分 |
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2楼2013-11-20 12:06:48
pigrass
专家顾问 (著名写手)
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3楼2013-11-20 12:49:14
hanhan1020
木虫 (正式写手)
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4楼2013-11-21 21:09:48
