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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电分析测试 » I-V 曲线 和 C-V 曲线 之间有什么区别？
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Nano-mse

金虫 (小有名气)

[求助] I-V 曲线 和 C-V 曲线 之间有什么区别？

各位好，我想咨询一下I-V curve 和 C-V curve 之间在测试目的和测试方法上有什么区别？

如果我已经在FTO玻璃上生长了一种半导体材料，有电化学工作站、Pt电极、Ag/AgCl 电极，那么如果想进行以上两种测试，具体该如何进行呢？

PS: 我的理解是，测I-V曲线的话，直接把电化学工作站的probe分别接在FTO两端，直接测即可，是这样吗？

对于C-V曲线，则需要把FTO和Pt电极分别连接到电化学工作站，再置于电解液中，然后测量？如果这个是对的，那么Ag/AgCl电极应该如何放置？并且，电解液如何选择？有什么通用的电解液吗？（找到了一篇相关文献，但是文献提供的电解液，我实验室不能配制）

非常感谢您的帮助！！
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1楼2013-11-18 14:48:14
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bingcha990

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 橙汁泡饭 at 2013-11-18 19:28:01
1、封装。你可以在制作基片时，在FTO上留点空白，若FTO片子上全部长了半导体材料，就用环氧树脂将周围封装
2、电解质。电解质溶液有酸性、中性和碱性，什么原则我记不清了，但是你记住，配置的电解质溶液不能刻蚀或 ...

你好，关于测试有几个问题想请教一下：

1. 能不能拍一下你测试I-V曲线的装置呢？比较直观一些，
2. 还有ISV模式是什么模式？我测过CV和充放电，
3. I-V曲线是不是只能测试膜材料的导电性？对于粉体的导电性该如何测试呢？
谢谢您
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百思不得其解，百寻不得其法，终有峰回路转，柳暗花明
10楼2016-10-17 17:02:21
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橙汁泡饭

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
Nano-mse: 金币+5, ★★★很有帮助, 非常感谢您！我还想进一步问3个小问题，一个是FTO基片一般如何封装？二是依据半导体材料选择电解质溶液基于什么原则呢？三是那种在绝缘体基底上镀电极，然后在把材料沉积在电极上的测试方法是测什么的呢？也是I-V曲线吗？非常感谢您！ 2013-11-18 16:41:36
zlin: ECEPI+1, 鼓励应助！ 2013-11-21 10:33:08
两个测试都要用到三电极系统和电化学工作站，以及Pt电极（对电极）、Ag/AgCl 电极（参比电极）和电解质溶液。
1、I-Vcurves测量时，要将FTO基片封装好作为工作电极，夹住一端，（1/2到3/4）置于电解质溶液中，用LSV模式，选好测量电压区间（一般要跟标准氢电极进行换算）和扫描速率就可以测量了
2、C-Vcurves的测量大致跟I-V测量相近
电解质溶液根据半导体材料来选择，有酸性、中性和碱性三种，可自己配置
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超越自己
2楼2013-11-18 15:24:27
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橙汁泡饭

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
Nano-mse: 金币+15, ★★★很有帮助, 非常感谢您！那么如果我在FTO上预留了一点空白，也就可以不用封装了吗？另外将周围封装是什么意思呢？是把长材料的那一面封装起来吗？不是很理解怎么操作，您可以推荐相关比较实用的文献吗？(包括电解质如何选择)。再次感谢您！ 2013-11-19 21:42:24
zlin: ECEPI+1, 鼓励应助！ 2013-11-21 12:23:26
1、封装。你可以在制作基片时，在FTO上留点空白，若FTO片子上全部长了半导体材料，就用环氧树脂将周围封装
2、电解质。电解质溶液有酸性、中性和碱性，什么原则我记不清了，但是你记住，配置的电解质溶液不能刻蚀或腐蚀你的半导体材料，比如你的FTO上长的是金属氧化物半导体，你不可能用酸性电解质溶液吧，一般是碱性较多，再者是中性
3、这个问题有点纠结，例如FTO片子，就是掺杂F的二氧化锡玻璃，具有微弱的导电性，一般是不会在绝缘基底上做的，这个主要测试的是材料的光响应能力，就是将光子转化为电子的能力
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超越自己
3楼2013-11-18 19:28:01
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chao3643053

金虫 (小有名气)
我也最近要做这个  学学

[ 发自小木虫客户端 ]
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4楼2013-11-18 19:55:21
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