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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 离子束辐照引入缺陷能级是否属于非故意掺杂？
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xiegy1

金虫 (小有名气)

[交流] 离子束辐照引入缺陷能级是否属于非故意掺杂？

如题。

请教各位，求告知。

多谢你的参与~~
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1楼 2013-11-17 22:45:10
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freeren896

木虫 (小有名气)
★ ★
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xiegy1: 金币+1, 谢谢参与！ 2013-11-21 11:12:57
式我的观点是，传统意义上讲，这不属于掺杂

[ 发自小木虫客户端 ]
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6楼2013-11-19 17:58:29
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匿名

用户注销 (著名写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
xiegy1: 金币+1, 谢谢参与！ 2013-11-18 21:55:59
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2楼2013-11-18 13:36:15
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zhenwuhuang

至尊木虫 (文学泰斗)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
xiegy1: 金币+1, 粒子束辐照可以引入深能级缺陷，属于掺杂么？ 2013-11-18 21:55:37
粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷
http://mall.cnki.net/magazine/Article/RGJT2000S1261.htm
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3楼2013-11-18 13:59:15
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xiegy1

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by zhenwuhuang at 2013-11-18 13:59:15
粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷
http://mall.cnki.net/magazine/Article/RGJT2000S1261.htm

否属于非故意掺杂呢？

怎么才算掺杂？
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4楼2013-11-18 21:54:41
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