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离子束辐照引入缺陷能级是否属于非故意掺杂？
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如题。 请教各位，求告知。 多谢你的参与~~  |
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4楼2013-11-18 21:54:41
2楼2013-11-18 13:36:15
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
xiegy1: 金币+1, 粒子束辐照可以引入深能级缺陷，属于掺杂么？ 2013-11-18 21:55:37
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
xiegy1: 金币+1, 粒子束辐照可以引入深能级缺陷，属于掺杂么？ 2013-11-18 21:55:37
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粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷 http://mall.cnki.net/magazine/Article/RGJT2000S1261.htm |
3楼2013-11-18 13:59:15
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【材料学】doping 在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。 例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。 掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。 我想离子束辐照应该也属于一种掺杂。 大家的意见呢？  |
5楼2013-11-18 21:58:47
