| 查看: 605 | 回复: 3 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【请教】关于Si基底的清洗
|
|||
|
我想问大家，在制膜时用Si做基底，应该怎么清洗Si基底才能做得万无一失啊，真诚的谢谢！！！ [ Last edited by FLY_Phoenix on 2008-5-25 at 00:58 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
这样的filecode谁见过
已经有17人回复
-
应该是93bebmhtak前后十一个字符比较关键
已经有4人回复
-
关于代码变化问题，想知道的进来
已经有16人回复
-
fileCode有新解读？
已经有18人回复
-
关于filecode，很负责任的告诉大家
已经有7人回复
-
【2027博士申请】纳米药物递送方向
已经有5人回复
-
关于豆爷回答的JTJC与%2F数量
已经有7人回复
-
2026国自然放榜时间
已经有3人回复
-
国基金的申报应该改成非等额制，评价高的钱多评价低的钱少，但是增加资助率
已经有7人回复
-
好奇怪的filecode
已经有4人回复
wangfang198502
铜虫 (初入文坛)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 177
- 帖子: 30
- 在线: 32分钟
- 虫号: 422832
- 注册: 2007-07-17
- 性别: MM
- 专业: 材料物理化学/薄膜
★ ★
FLY_Phoenix(金币+2,VIP+0):谢谢，辛苦了
FLY_Phoenix(金币+2,VIP+0):谢谢，辛苦了
|
这是我们实验室一毕业师姐论文里关于清洗Si基片的介绍，不过据说她没这么做，现在一师姐也不这么做，可是我老师要我尽量按照规范做，我基本尊送了此过程，除了最后一步没用N2吹干，二十放到酒精中待用，基片最好是用前再清洗。 (1) 首先将基底放在烧杯里，要使基底的正面朝上，以防在超声清洗过程中与烧杯底部摩擦，加入适量的CCl4浸泡，并在超声波中超声10min，以除去表面的油脂。取出基底后， 用去离子水冲洗； (2) 再将基底放入另一个烧杯中，加入适量丙酮，超声10min，以除去剩余的油脂，然后取出基底，用去离子水冲洗； (3) 将基底放在另一个装有适量乙醇的烧杯中超声10min，以除去基底表面的CCl4和丙酮，然后用去离子水冲洗； (4) 将基底在80℃的 (NH4OH: H2O2: H2O=1:1:5) 溶液中放置10min，取出后，用去离子水洗净，在0.5%HF中放置5min，以除去表面的氧化物，并用去离子水洗净； (5) 再将基底在80℃的 (HCl: H2O2: H2O=1:1:5) 溶液中浸泡10min，取出后，用去离子水洗净，在1%HF中放置5min，以彻底除去表面的氧化物，并用去离子水洗净； (6) 最后将洗好的Si(100)基底用N2吹干后，放入真空室中备用。 |
3楼2007-12-18 02:00:54
2楼2007-12-17 22:10:16
bluesky238
木虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1685.5
- 散金: 1
- 帖子: 769
- 在线: 100.4小时
- 虫号: 491261
- 注册: 2008-01-05
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
4楼2008-05-24 15:56:30
100