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【请教】关于Si基底的清洗
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我想问大家，在制膜时用Si做基底，应该怎么清洗Si基底才能做得万无一失啊，真诚的谢谢！！！ [ Last edited by FLY_Phoenix on 2008-5-25 at 00:58 ] |
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2楼2007-12-17 22:10:16
wangfang198502
铜虫 (初入文坛)
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- 专业: 材料物理化学/薄膜
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FLY_Phoenix(金币+2,VIP+0):谢谢，辛苦了
FLY_Phoenix(金币+2,VIP+0):谢谢，辛苦了
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这是我们实验室一毕业师姐论文里关于清洗Si基片的介绍，不过据说她没这么做，现在一师姐也不这么做，可是我老师要我尽量按照规范做，我基本尊送了此过程，除了最后一步没用N2吹干，二十放到酒精中待用，基片最好是用前再清洗。 (1) 首先将基底放在烧杯里，要使基底的正面朝上，以防在超声清洗过程中与烧杯底部摩擦，加入适量的CCl4浸泡，并在超声波中超声10min，以除去表面的油脂。取出基底后， 用去离子水冲洗； (2) 再将基底放入另一个烧杯中，加入适量丙酮，超声10min，以除去剩余的油脂，然后取出基底，用去离子水冲洗； (3) 将基底放在另一个装有适量乙醇的烧杯中超声10min，以除去基底表面的CCl4和丙酮，然后用去离子水冲洗； (4) 将基底在80℃的 (NH4OH: H2O2: H2O=1:1:5) 溶液中放置10min，取出后，用去离子水洗净，在0.5%HF中放置5min，以除去表面的氧化物，并用去离子水洗净； (5) 再将基底在80℃的 (HCl: H2O2: H2O=1:1:5) 溶液中浸泡10min，取出后，用去离子水洗净，在1%HF中放置5min，以彻底除去表面的氧化物，并用去离子水洗净； (6) 最后将洗好的Si(100)基底用N2吹干后，放入真空室中备用。 |
3楼2007-12-18 02:00:54
bluesky238
木虫 (正式写手)
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4楼2008-05-24 15:56:30
