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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » MS计算结果偏大有什么解释吗?
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fengyidai

金虫 (小有名气)

[交流] MS计算结果偏大有什么解释吗?

麻烦各位了，计算了一个半导体体系,带隙显示偏大了1~2ev,不知道谁有见过相关的文献解释吗?谢谢.
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1楼 2007-12-17 15:38:29
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carlon

金虫 (小有名气)
你做了几何优化了没有？
还是那实验平衡晶格常数来算的性质。
正常的情况得那赝势优化晶格常数，在跟实验数据比较
看看误差多大。
我做的体系，有时候晶格常数误差很大，这样算的性质就不准。
如果优化得到的晶格体积比实验值小得多，那么你那这个赝势做实验晶格常数下的能带
就相当于把体积增大了，然后算的能带，有可能带隙就增加了
正常的情况下，那实验平衡构型算能带的前提是：那相同的赝势优化得到的构型和实验的构型相差很小。如果晶格常数相差很大，可能会导致结果出问题，能带带隙增加也不是不可能。
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13楼2007-12-21 16:42:47
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主
晕啊，很可能是算错了吧？
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姿曰:年轻会结束，在结束以前，把想做的事做完吧!
2楼2007-12-17 15:54:27
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fengyidai

金虫 (小有名气)
一定是算错了吗?并没有很特别的人为调整,简单地把icsd结构导入,用默认值计算,可能是哪里出了问题?应该怎么调整?
没有文献这么报道过吗?
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3楼2007-12-17 15:58:00
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主
★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的参与，希望继续关注计算模拟版
引用回帖:
Originally posted by fengyidai at 2007-12-17 15:58:
一定是算错了吗?并没有很特别的人为调整,简单地把icsd结构导入,用默认值计算,可能是哪里出了问题?应该怎么调整?
没有文献这么报道过吗?

如果是那样就应该考虑你模型的问题了。你要的结构在MS自带的文件夹离没有吗？非要自己建模吗？如果建的话，也最好是把别的相同结构的材料导入，然后替换一下原子。MS泛函是LDA和GGA，没有GW，+U，很难高估啊？

哦，对了，忘了告诉你剪刀工具（scissors）也可以抬高带隙，莫非你用了？

[ Last edited by dawnlight on 2007-12-17 at 16:07 ]
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姿曰:年轻会结束，在结束以前，把想做的事做完吧!
4楼2007-12-17 16:02:01
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