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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 在高压下用vasp进行计算时，赝势文件的选取（小红花备用~）
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dx0620

木虫 (正式写手)

[求助] 在高压下用vasp进行计算时，赝势文件的选取（小红花备用~）

RT，在高压下用vasp进行计算时，应该如何选取赝势文件啊，比如O的话有_h，Ga的话有_d、_h的，我要如何确定是在多大压力下选取哪种赝势文件啊？
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1楼 2013-11-11 11:40:10
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dxcharlary

专家顾问 (职业作家)
引用回帖:
7楼: Originally posted by dx0620 at 2013-11-12 14:57:04
再请问一下，您是如何测试的啊？以什么为标准啊？...

将算出来的相图和实验上已经测得的结果进行对比。
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8楼2013-11-13 04:17:31
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shihuangzhe

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
identation: 金币+2, 谢谢交流 2013-11-11 16:35:02
dx0620: 金币+2, ★有帮助 2013-11-11 21:09:30
应尽量选取截断半径小的，有半核电子的。你可以看看赝势文件里面的信息。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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2楼2013-11-11 13:25:11
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dx0620

木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by shihuangzhe at 2013-11-11 13:25:11
应尽量选取截断半径小的，有半核电子的。你可以看看赝势文件里面的信息。

可否详细一些，在哪里看截断半径？哪里有注明有半核电子？还有最后一个问题，谢谢您了~
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3楼2013-11-11 14:52:12
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shihuangzhe

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
franch: 金币+2, 鼓励交流。 2013-11-11 22:57:17
在赝势文件中看，最后一个问题我上面回答过了。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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4楼2013-11-11 18:59:58
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