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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 在高压下用vasp进行计算时，赝势文件的选取（小红花备用~）
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dx0620

木虫 (正式写手)

[求助] 在高压下用vasp进行计算时，赝势文件的选取（小红花备用~）

RT，在高压下用vasp进行计算时，应该如何选取赝势文件啊，比如O的话有_h，Ga的话有_d、_h的，我要如何确定是在多大压力下选取哪种赝势文件啊？
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1楼 2013-11-11 11:40:10
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dxcharlary

专家顾问 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
dx0620: 金币+8, ★★★很有帮助, 谢谢~ 2013-11-12 14:56:11
引用回帖:
5楼: Originally posted by dx0620 at 2013-11-11 21:09:15
如何确定是在多大压力下选取哪种赝势文件？
例如我是10GPa下换赝势还是20GPa、50GPa、100GPa？...

个人经验，除了H,Li,Be之外，其他的在实验室压强300GPa下面，基本都不用。一般只有到500GPa以上在考虑hard赝势。另外GW赝势的截断半径普遍要好于原有赝势。而且ENMAX一般都不大，所以尽可能的选择GW赝势。我测试过GW O的赝势100-200GPa的计算结果甚至好于O_h。
赝势选取的要求是要让截断半径（RCUT，单位波尔）之和小于键长。
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6楼2013-11-12 10:19:53
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dxcharlary

专家顾问 (职业作家)
引用回帖:
7楼: Originally posted by dx0620 at 2013-11-12 14:57:04
再请问一下，您是如何测试的啊？以什么为标准啊？...

将算出来的相图和实验上已经测得的结果进行对比。
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8楼2013-11-13 04:17:31
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