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有没有做紫外GANLED研究的？ 已有1人参与
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| 有没有做紫外LED的 咨询几个问题，现在mocvd做紫外的难点在哪儿？知道的小纸条一下，大家探讨下了 |
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n-pad金属制作于基板 GaN on GaN缩短磊晶时间 除上述所提到的GaN on GaN的高效率的表现之外，另一大的优点为磊晶时间上的缩短。传统上，磊晶生长LED on Sapphire上，往往需要基板烘烤的时间、低温缓冲层及厚度4微米以上的GaN磊晶薄膜生长时间，整体的升降温和成长时间约需2.5？3.5小时；反观LED on GaN，可直接将n-pad金属制作于氮化镓基板上，因此只要直接生长所需要的量子井层即可(图12)，不管是mesa-type、覆晶型或着垂直型皆相同，也因此，不须生长厚的氮化镓磊晶薄膜，在腔体成长完后，所进行的烘烤时间和腔体维护成本上，都有大幅度的下降。 图12 LED on sapphire(左)与LED on GaN(右)结构示意图 尽管GaN on GaN拥有相当多的优点，但目前仍受限于基板价格过于昂贵之缺点，导致无法大量的商品化及垫高厂商的进入门槛，因此整体市场的切入时机点，将取决于上游基板厂商价格下降速度。所幸，受惠于各家基板厂商技术上的突破，越来越多厂商有能力制作和提供氮化镓基板，GaN on GaN的时间将会更提早的来临。 就技术上来看，LED on Sapphire已发展10年以上，累积相当多的经验和结构，且都已有众多商品化产品推出，反观GaN on GaN仍在实验室的阶段，在未来商品化的过程中，仍有许多瓶颈须克服，就技术而言，包含铝和铟溶入率、矽和镁掺杂活化率；各磊晶层对应基板缺陷和极化场降低所导致的结构上改变；基板N型掺杂对于Ga-face和N-face欧姆接触问题；以及基板本身残留的内应力所导致晶粒研磨和切割问题等，仍须研究团队投入心血去解决。 GaN on GaN发展潜力十足 目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在GaN on GaN技术上深耕多年，从早期的HVPE氮化镓基板成长到目前的蓝紫光LED磊晶技术，技术面皆已突破现今GaN on Sapphire之效率。在未来，就成本面观之，透过缩短磊晶和烘烤腔体的时间、降低腔体维护成本、可大电流操作之优势和垂直型结构之制作成本等，搭配氮化镓基板成本下降之趋势，GaN on GaN将是一个深具潜力的明日之星。 http://lights.ofweek.com/2013-11/ART-220003-8140-28740512_3.html  12.jpg |
2楼2013-11-04 16:09:03
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