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硅在空气中高温热氧化厚度与温度与时间关系
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各位虫友好， 小弟想请问一下重掺P的n型单晶硅片（100取向且抛光），放在空气气氛下1100摄氏度（先升到1000度保温30min然后经60min升到1100度再保温30min）退火后，在硅表面热氧化的二氧化硅大概多厚？SEM界面可以看出来么？不胜感谢！ |
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