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硅在空气中高温热氧化厚度与温度与时间关系
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tanhongwei
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应助: 0
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帖子: 15
在线: 66.1小时
虫号: 1187075
注册: 2011-01-10
性别: GG
专业: 半导体材料
[
求助
]
硅在空气中高温热氧化厚度与温度与时间关系
各位虫友好,
小弟想请问一下重掺P的n型单晶硅片(100取向且抛光),放在空气气氛下1100摄氏度(先升到1000度保温30min然后经60min升到1100度再保温30min)退火后,在硅表面热氧化的二氧化硅大概多厚?SEM界面可以看出来么?不胜感谢!
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1楼
2013-10-11 16:56:48
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