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lg_hust

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 如何进行长周期多量子阱的生长

本人所作的课题需要生长200周期的InGaAs/InP多量子阱,但不知道如何进行生长之前的组分及应变研究,如何处理应变???
据说由于应变,无法生长200多周期。
也不知道该看那些参考文献,希望能得到大家的指点,解决小弟的困惑!
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koala007

铜虫 (初入文坛)

用的是什么衬底?InP衬底和InGaAs/InP多量子阱与理论上可以匹配的(组分0.48)。问题关键就是设备状况和生长水平了。
研究组分和应变最好的工具之一就是HRXRD,完全够用。
长周期超晶格?周期多大?总厚度多少要在合理范围内,200个周期本身并不是问题。

[ Last edited by koala007 on 2007-11-30 at 17:45 ]
3楼2007-11-30 17:41:04
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zbtian

银虫 (小有名气)

跟你用外延方法生长和需要的应变组分还有层厚都有关系吧

这么多周期的话可考虑采用应变补偿结构
2楼2007-11-30 17:03:18
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