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lg_hust

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 如何进行长周期多量子阱的生长

本人所作的课题需要生长200周期的InGaAs/InP多量子阱，但不知道如何进行生长之前的组分及应变研究，如何处理应变？？？
据说由于应变，无法生长200多周期。
也不知道该看那些参考文献，希望能得到大家的指点，解决小弟的困惑！
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1楼 2007-11-27 14:43:20
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zbtian

银虫 (小有名气)
跟你用外延方法生长和需要的应变组分还有层厚都有关系吧

这么多周期的话可考虑采用应变补偿结构
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2楼2007-11-30 17:03:18
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koala007

铜虫 (初入文坛)
用的是什么衬底？InP衬底和InGaAs/InP多量子阱与理论上可以匹配的（组分0.48）。问题关键就是设备状况和生长水平了。
研究组分和应变最好的工具之一就是HRXRD，完全够用。
长周期超晶格？周期多大？总厚度多少要在合理范围内，200个周期本身并不是问题。

[ Last edited by koala007 on 2007-11-30 at 17:45 ]
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3楼2007-11-30 17:41:04
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