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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 干法刻蚀
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chc33

新虫 (初入文坛)

[求助] 干法刻蚀

请问ICP和RIE刻蚀的本质区别是什么？为什么ICP不能刻蚀厚的石英基板（50mm）,而RIE则可以？有人说ICP刻蚀厚基板时偏压加不上去，那为什么RIE可以呢？望高人指导！不胜感激！
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1楼 2013-09-14 16:15:18
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fangzhonga

银虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
RIE刻蚀过程中，片子就是放在RF源的两平板电极之间，并不额外给片子加偏压。这样的话，离子源的功率只有几百瓦，同时加上去，刻蚀主要靠化学反应，物理效应较少，很难刻蚀较深的结构。而ICP通常是给片子加几十瓦的RF，离子源是独立的几千W。
此外，刻蚀气体也很重要。RIE刻蚀氧化硅一般是SF6和CHF3混合。而一般的ICP貌似用SF6的居多，SF6不太能刻的动氧化硅，片子又加不上偏压，物理效应也少，可能就是刻不动了。你最好确定一下你那台ICP的刻蚀气体。
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chc33
2楼2013-09-14 22:21:15
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小风12

金虫 (正式写手)
好帖
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tranqulity
3楼2013-09-15 12:40:41
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chc33

新虫 (初入文坛)
送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by fangzhonga at 2013-09-14 22:21:15
RIE刻蚀过程中，片子就是放在RF源的两平板电极之间，并不额外给片子加偏压。这样的话，离子源的功率只有几百瓦，同时加上去，刻蚀主要靠化学反应，物理效应较少，很难刻蚀较深的结构。而ICP通常是给片子加几十瓦的R ...

您好，我们使用的是CHF3和Ar气的混合气体，我发现现在刻蚀一段时间后刻蚀机腔里面会有类似碳的聚合物，那么用SF6的话刻蚀后的片子会不会聚合物少些？看上去干净些，谢谢！
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4楼2013-09-16 07:21:13
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928737123

新虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by chc33 at 2013-09-16 07:21:13
您好，我们使用的是CHF3和Ar气的混合气体，我发现现在刻蚀一段时间后刻蚀机腔里面会有类似碳的聚合物，那么用SF6的话刻蚀后的片子会不会聚合物少些？看上去干净些，谢谢！...

机台该清理了
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5楼2017-09-03 19:08:48
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1024247900

木虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by chc33 at 2013-09-16 07:21:13
您好，我们使用的是CHF3和Ar气的混合气体，我发现现在刻蚀一段时间后刻蚀机腔里面会有类似碳的聚合物，那么用SF6的话刻蚀后的片子会不会聚合物少些？看上去干净些，谢谢！...

SF6的刻蚀速率非常快，主要因为F自由基浓度较高，和湿法BOE的刻蚀形貌类似，腔体会干净一些。但是如果对刻蚀形貌有要求的话，CHF3和Ar也不能不用，CHF3在PLASMA中生成polymer来进行侧壁保护，Ar进行垂直的离子轰击。最好自己建一个dry clean的recipe进行自清腔，但是根本还是需要定期开腔擦拭腔体。
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为了梦想加油！
6楼2017-09-17 10:47:28
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