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静哥哥

铁杆木虫 (著名写手)


[资源] 过渡金属VI二硫化物谷电子学文献整理

过渡金属VI二硫化物,以单层二硫化钼为例,由于其对结构的称性破缺以及较强的自旋轨道耦合效应,导致 K谷和k‘谷对左旋和右旋圆偏振光的吸收具有选择性,因此为谷电子学提供了基础。
附件中我收集了几篇看过的文献,都是关于调制谷极化的文献,大家可以看看,挺有意思。过渡金属VI二硫化物谷电子学文献整理
111.png


过渡金属VI二硫化物谷电子学文献整理-1
2222.png
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引用回帖:
30楼: Originally posted by 放开那位大娘 at 2014-09-06 17:22:23
有没有机会讨论一二...

我最近也在看相关文章,有些疑惑,请教一下
valley处的电子可以用dirac方程描述,那就是说处在valley的电子多了一个psuedospin的自由度么,也就是说电子有了spin磁矩,orbit磁矩,valley psuedospin磁矩三个磁矩么,但是从来没有看到文献中把valley psuedospin作为一个磁矩来测量,也没和别的东西做耦合啊。
还是说valley psuedospin仅仅是处在k和k'时取相反的值,导致了orbit磁矩和berry curvature相反而已,它自己不作为磁矩有物理效应。
不知道那个观点是正确的呢。
31楼2014-09-20 23:46:30
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引用回帖:
32楼: Originally posted by 放开那位大娘 at 2014-09-26 15:06:00
psuedospin最早出现在铁电物理中描述体系的自发极化,好像并不存在所谓磁矩,对于赝自旋系统存在有序化程度的量度。不是特别明白,是否可以认为这种自发极化导致了在K和K'处berry curvature相反,只是用psuedospin ...

一般来说,berry curvature只有在spatial inversion symmetry或time reversal symmetry至少有一个break时才可能不为0,而过渡金属VI二硫化物的spatial inversion symmetry被破坏掉了,才出现了不为零的berry curvature,在整个brillouin区都会有,只是K和K'处valley psuedospin相反导致berry curvature相反。在结构类似的graphene中,能带结构类似,也有valley psuedospin,但是不会出现berry curvature,这时valley psuedospin没有可观测物理效应么?
33楼2014-09-29 23:26:56
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引用回帖:
35楼: Originally posted by 放开那位大娘 at 2014-10-01 11:46:51
graphene中通过吸附金属原子也可以出现berry curvature关于gamma点反对称的情况,PHYSICAL REVIEW B84, 195444 (2011)...

掺杂金属应该就是为了破坏graphene的空间对称性,由此产生berry curvature effect
37楼2014-10-08 22:44:16
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