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[资源]
过渡金属VI二硫化物谷电子学文献整理
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过渡金属VI二硫化物，以单层二硫化钼为例，由于其对结构的称性破缺以及较强的自旋轨道耦合效应，导致 K谷和k‘谷对左旋和右旋圆偏振光的吸收具有选择性，因此为谷电子学提供了基础。 附件中我收集了几篇看过的文献，都是关于调制谷极化的文献，大家可以看看，挺有意思。  111.png  2222.png |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : lectrical_tuning_of_valley_magnetic_moment_through_symmetry_control_in_bilayer_MoS2.PDF
- 附件 2 : Coupled_Spin_and_Valley_Physics_in_Monolayers_of_MoS2_and_Other_Group-VI_Dichalcogenides..PDF
- 附件 3 : Valley_polarization_in_MoS2_monolayers_by_optical_pumping.PDF
- 附件 4 : Control_of_valley_polarization_in_monolayer_MoS2_by_optical_helicity.PDF
- 附件 5 : Valley-selective_circular_dichroism_of_monolayer_molybdenum_disulphide.PDF
- 附件 6 : Valley-dependent_optoelectronics_from_inversion_symmetry_breaking.PDF
- 附件 7 : Spintronics_A_Spin-Based_Electronics_Vision_for_the_Future.PDF
- 附件 8 : Optical_generation_of_excitonic_valley_coherence_in_monolayer_WSe2..PDF
2013-09-10 19:11:40, 1.94 M
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lics1987021012楼
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wjy201113楼
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