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lianglei

至尊木虫 (正式写手)

逐梦小虫

[求助] 分子束外延生长氧化物

请问外延生长的条件,从晶格匹配角度,一定要求外延膜晶胞参数a=基底的晶胞参数,或基底的晶胞参数的sqrt2倍吗(如果外延膜与基底均为立方结构,相当于对角线堆积)?

如果外延膜晶胞参数a=基底3/4倍,或者2/3倍不可以吗?

[ 来自小组 锂电池世界 ]
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我思故我在
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icm639

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
lianglei: 金币+1, ★★★很有帮助 2013-09-10 17:39:52
如果你的基底和材料都是立方结构的话 应该能实现外延生长 生长面内的方向关系为:基底[110]方向平行于材料[100]方向  晶格失配很小
ps:晶格失配很大也可能实现异质外延 例如c-plane 蓝宝石上生长c-plane 氧化锌 晶格失配大约18% 这种情况下一般是domain matching epitaxy 另外就是引入缓冲层进行生长
8楼2013-09-10 13:52:33
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avgon

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
lijunjie84: 金币+1, 感谢参与! 2013-09-27 11:00:11
实际要生长晶体,怎么可能晶格常数是这样的倍数呢。所生长材料所基底相差小当然好,如果不好,就要想办法减小这样的不良匹配,从而获得好的晶体质量。像常用的可以采用适当的缓冲层,从而减小失配。分子束外延只是设备的一个名称,能否做到真正的外延生长还要看你的条件是否合适。基底只是一方面。条件不合适同质外延也不一定得到好的晶体。
仰望星空脚踏实地
2楼2013-09-08 20:48:26
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lianglei

至尊木虫 (正式写手)

逐梦小虫

引用回帖:
2楼: Originally posted by avgon at 2013-09-08 13:48:26
实际要生长晶体,怎么可能晶格常数是这样的倍数呢。所生长材料所基底相差小当然好,如果不好,就要想办法减小这样的不良匹配,从而获得好的晶体质量。像常用的可以采用适当的缓冲层,从而减小失配。分子束外延只是设 ...

比如说我的材料晶胞参数a=4.2A,基底是6.07A,这样基底是薄膜的sqrt2倍,正好符合对角线距离。这样是否可以实现外延。如果不能得到接近4.2A的基底,什么大小为其次考虑
我思故我在
3楼2013-09-08 22:12:43
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avgon

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
lianglei: 金币+2, ★★★很有帮助 2013-09-09 04:39:24
引用回帖:
3楼: Originally posted by lianglei at 2013-09-08 22:12:43
比如说我的材料晶胞参数a=4.2A,基底是6.07A,这样基底是薄膜的sqrt2倍,正好符合对角线距离。这样是否可以实现外延。如果不能得到接近4.2A的基底,什么大小为其次考虑...

外延生长最好是一个原子接一个原子的向上长,像你这样的比例虽然能保证一些原子接上,但这样的配置还有很多原子是空着无键可成的,所以并不是很好的选择。可以选择晶格常数在3.8-4.5之间应该都可以做为相应的选择。相接的表面当然最好都是同样的点阵类型。
仰望星空脚踏实地
4楼2013-09-09 00:02:49
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