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hzcc

木虫 (正式写手)

[交流] 求助!!!

  想求告诉解决一个问题!本人向通过电子束蒸发的方法制备Ta薄膜,现在不知道采用什么料舟装料,因为Ta的熔点相当高,接近3000度,可以选择作为料舟的材料不多了,W应该是其中之一,但是W和Ta之间是否会有互溶的情况呢?另外,对于Ta料,如果采用细小的粉末状Ta粉为蒸发源时候会使其更容易蒸发呢,这样是否可以考虑其他熔点相对低点的料舟呢,比如Al2O3坩锅等。
  曾经有人用Cu坩锅作为料舟来蒸发Cr粉末,而且成功了,要知道Cr的熔点为1800多度,而Cu的熔点才1080左右。
  请高手指点指点,尤其是有够电子束蒸发实验相关经历的同学老师多提意见!非常感谢!
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hzcc

木虫 (正式写手)

感谢你给的意见!还想问一下,蒸发材料Ta是否需要为粉末,块体Ta是否影响蒸发?
3楼2007-11-12 14:51:03
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Tavano

铁杆木虫 (正式写手)


子男(金币+1,VIP+0):谢谢帮助
可以用水冷铜坩埚,用电子束虽然把Ta加热到很高的温度,但是Cu坩埚依然保持比较低的温度。
用W或者其他材料的坩埚而不用水冷应该是不行的,在高温下这些材料的蒸气压也很高,会严重影响Ta薄膜的纯度。
2楼2007-11-12 14:30:03
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hzcc

木虫 (正式写手)

还有哪些高人来给点中肯的意见阿!本人急着要开工了。
4楼2007-11-13 13:56:34
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Tavano

铁杆木虫 (正式写手)

用块体的应该好一些,一般用粉末的话也要先预熔而不是直接蒸发,否则蒸发角容易改变而影响膜的均匀性,并且块体纯度更容易保证。
5楼2007-11-13 14:09:58
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