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hzcc

木虫 (正式写手)

[交流] 求助！！！

　　想求告诉解决一个问题！本人向通过电子束蒸发的方法制备Ta薄膜，现在不知道采用什么料舟装料，因为Ta的熔点相当高，接近３０００度，可以选择作为料舟的材料不多了，W应该是其中之一，但是W和Ta之间是否会有互溶的情况呢？另外，对于Ta料，如果采用细小的粉末状Ta粉为蒸发源时候会使其更容易蒸发呢，这样是否可以考虑其他熔点相对低点的料舟呢，比如Al2O3坩锅等。
　　曾经有人用Cu坩锅作为料舟来蒸发Cr粉末，而且成功了，要知道Cr的熔点为１８００多度，而Cu的熔点才１０８０左右。
　　请高手指点指点，尤其是有够电子束蒸发实验相关经历的同学老师多提意见！非常感谢！
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1楼 2007-11-12 14:15:33
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Tavano

铁杆木虫 (正式写手)
★
子男(金币+1,VIP+0):谢谢帮助
可以用水冷铜坩埚，用电子束虽然把Ta加热到很高的温度，但是Cu坩埚依然保持比较低的温度。
用W或者其他材料的坩埚而不用水冷应该是不行的，在高温下这些材料的蒸气压也很高，会严重影响Ta薄膜的纯度。
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2楼2007-11-12 14:30:03
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hzcc

木虫 (正式写手)
感谢你给的意见！还想问一下，蒸发材料Ta是否需要为粉末，块体Ta是否影响蒸发？
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3楼2007-11-12 14:51:03
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hzcc

木虫 (正式写手)
还有哪些高人来给点中肯的意见阿！本人急着要开工了。
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4楼2007-11-13 13:56:34
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Tavano

铁杆木虫 (正式写手)
用块体的应该好一些，一般用粉末的话也要先预熔而不是直接蒸发，否则蒸发角容易改变而影响膜的均匀性，并且块体纯度更容易保证。
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5楼2007-11-13 14:09:58
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