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1989luyihong

铜虫 (小有名气)

[交流] CASTEP模拟半导体ZnO体系,过渡金属以替位形式替代Zn,过渡金属的化合价为多少? 已有3人参与

问一个幼稚的问题 在CASTEP 模拟ZnO掺杂的体系中,比如V掺杂ZnO体系,V以替位形式替代Zn,V在体系中的化合价是多少啊?是+2价吗?能不能人为控制V的化合价啊?
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猛回头,已经陷得很深。到底能不能自救...知道有多苦痛的只有自己
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北漂2012

新虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
首先看V在其自身的化合物中,一般呈现什么价态。而且,过度金属一般都有多种价态的。我就看到过文献中有,用Mn 可以掺杂替换Bi2Se3,3+的Bi; Mn 替换HgTe,2+的Hg;肯因为Mn 本身都有2+,3+的吧。还有如果你要分析及掺杂的V在体系中的化合价,应该做差分电荷密度分布。看V原子,它掺杂进去之后,周围电荷转移情况。把V原子周围的差分电荷密度积分起来,就应该等于,它掺杂进体系之后,失去的电子数了,也就是所谓的,化合价了。
如果你要分析是看这个原子的电子转移情况,
ibelieveicanfly,ibelieveeicantouchthesky.Ificanseeit,thenicandoit,ifijustbelieveit,thethereisnothingtoit.
2楼2013-08-17 08:11:46
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1989luyihong

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 北漂2012 at 2013-08-17 08:11:46
首先看V在其自身的化合物中,一般呈现什么价态。而且,过度金属一般都有多种价态的。我就看到过文献中有,用Mn 可以掺杂替换Bi2Se3,3+的Bi; Mn 替换HgTe,2+的Hg;肯因为Mn 本身都有2+,3+的吧。还有如果你要分析 ...

也就是先优化V掺杂ZnO体系,再计算得到体系的差分电荷密度,最后针对V原子对其差分电荷积分,得到的数值就是V替代Zn后的化学价?但是我不知如何对差分电荷密度做积分啊?能不能提示一下啊?
猛回头,已经陷得很深。到底能不能自救...知道有多苦痛的只有自己
3楼2013-08-18 10:58:59
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大雪微蓝

至尊木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
首先考虑原始掺入元素的化合价的实际情况,还有就是你需要做什么,如果是同价取代的话对晶体性质改变不大吧
4楼2013-08-19 10:54:27
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1989luyihong

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by 大雪微蓝 at 2013-08-19 10:54:27
首先考虑原始掺入元素的化合价的实际情况,还有就是你需要做什么,如果是同价取代的话对晶体性质改变不大吧

还是不明白你说的
猛回头,已经陷得很深。到底能不能自救...知道有多苦痛的只有自己
5楼2013-08-19 15:15:02
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大雪微蓝

至尊木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by 1989luyihong at 2013-08-19 15:15:02
还是不明白你说的...

比如说V掺杂ZnO体系,你得知道V在实际上有哪几个价态,比如说有3,5,那你不可能指望它可以以4价掺入,同时呢,要做半导体材料,肯定是要进行不同价态的替代,要是同价离子取代的话就无所谓出现半导体的载流子了
6楼2013-08-20 21:30:49
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goodchildren

新虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
2楼: Originally posted by 北漂2012 at 2013-08-17 08:11:46
首先看V在其自身的化合物中,一般呈现什么价态。而且,过度金属一般都有多种价态的。我就看到过文献中有,用Mn 可以掺杂替换Bi2Se3,3+的Bi; Mn 替换HgTe,2+的Hg;肯因为Mn 本身都有2+,3+的吧。还有如果你要分析 ...

能请教一下这个缠粉电荷密度积分的问题吗?
天生我材必有用
7楼2014-05-11 16:30:03
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