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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » CASTEP模拟半导体ZnO体系，过渡金属以替位形式替代Zn，过渡金属的化合价为多少？
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1989luyihong

铜虫 (小有名气)

[交流] CASTEP模拟半导体ZnO体系，过渡金属以替位形式替代Zn，过渡金属的化合价为多少？ 已有3人参与

问一个幼稚的问题 在CASTEP 模拟ZnO掺杂的体系中，比如V掺杂ZnO体系，V以替位形式替代Zn，V在体系中的化合价是多少啊？是+2价吗？能不能人为控制V的化合价啊？
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猛回头，已经陷得很深。到底能不能自救...知道有多苦痛的只有自己
1楼 2013-08-16 22:04:57
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北漂2012

新虫 (初入文坛)
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首先看V在其自身的化合物中，一般呈现什么价态。而且，过度金属一般都有多种价态的。我就看到过文献中有，用Mn 可以掺杂替换Bi2Se3，3+的Bi； Mn 替换HgTe，2+的Hg；肯因为Mn 本身都有2+，3+的吧。还有如果你要分析及掺杂的V在体系中的化合价，应该做差分电荷密度分布。看V原子，它掺杂进去之后，周围电荷转移情况。把V原子周围的差分电荷密度积分起来，就应该等于，它掺杂进体系之后，失去的电子数了，也就是所谓的，化合价了。
如果你要分析是看这个原子的电子转移情况，
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ibelieveicanfly,ibelieveeicantouchthesky.Ificanseeit,thenicandoit,ifijustbelieveit,thethereisnothingtoit.
2楼2013-08-17 08:11:46
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1989luyihong

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 北漂2012 at 2013-08-17 08:11:46
首先看V在其自身的化合物中，一般呈现什么价态。而且，过度金属一般都有多种价态的。我就看到过文献中有，用Mn 可以掺杂替换Bi2Se3，3+的Bi； Mn 替换HgTe，2+的Hg；肯因为Mn 本身都有2+，3+的吧。还有如果你要分析 ...

也就是先优化V掺杂ZnO体系，再计算得到体系的差分电荷密度，最后针对V原子对其差分电荷积分，得到的数值就是V替代Zn后的化学价？但是我不知如何对差分电荷密度做积分啊？能不能提示一下啊？
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猛回头，已经陷得很深。到底能不能自救...知道有多苦痛的只有自己
3楼2013-08-18 10:58:59
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大雪微蓝

至尊木虫 (正式写手)
★
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首先考虑原始掺入元素的化合价的实际情况，还有就是你需要做什么，如果是同价取代的话对晶体性质改变不大吧
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4楼2013-08-19 10:54:27
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1989luyihong

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 大雪微蓝 at 2013-08-19 10:54:27
首先考虑原始掺入元素的化合价的实际情况，还有就是你需要做什么，如果是同价取代的话对晶体性质改变不大吧

还是不明白你说的
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猛回头，已经陷得很深。到底能不能自救...知道有多苦痛的只有自己
5楼2013-08-19 15:15:02
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大雪微蓝

至尊木虫 (正式写手)
★
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5楼: Originally posted by 1989luyihong at 2013-08-19 15:15:02
还是不明白你说的...

比如说V掺杂ZnO体系，你得知道V在实际上有哪几个价态，比如说有3,5，那你不可能指望它可以以4价掺入，同时呢，要做半导体材料，肯定是要进行不同价态的替代，要是同价离子取代的话就无所谓出现半导体的载流子了
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6楼2013-08-20 21:30:49
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goodchildren

新虫 (小有名气)
★
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引用回帖:
2楼: Originally posted by 北漂2012 at 2013-08-17 08:11:46
首先看V在其自身的化合物中，一般呈现什么价态。而且，过度金属一般都有多种价态的。我就看到过文献中有，用Mn 可以掺杂替换Bi2Se3，3+的Bi； Mn 替换HgTe，2+的Hg；肯因为Mn 本身都有2+，3+的吧。还有如果你要分析 ...

能请教一下这个缠粉电荷密度积分的问题吗?
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天生我材必有用
7楼2014-05-11 16:30:03
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