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sunwh_cool

木虫 (正式写手)

[求助] ZnO传感器稳定性 已有1人参与

大家好,小弟近日用水热法生长ZnO阵列,做气体传感器。
种子层是ZnO 溶胶做的,把Si衬底(衬底上已经溅射有电极)泡在溶胶中2min,再350度加热,重复3次。然后再在0.02M反应液中生长。生长后加热到200度-400度测气敏性。
可问题是,在测试过程中,阻值会不停的增加,如果继续加热,阻值会大于120M,超出万用表的量程。刚开始加热时的阻值只有500k的样子,为什么会这样?薄膜加热裂开了吗?应该怎么改善呢?请各位多多帮忙!!
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wiseroy

木虫 (著名写手)

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
sunwh_cool: 金币+5, 有帮助, 谢谢帮助,但是看不到裂纹,是不是常温下裂开的地方又回到原来的状态了? 2013-07-06 10:19:54
考虑热应力、膜材与基片结合性。有没有开裂用1000倍数光学显微镜先初步判断。
善良
2楼2013-07-03 15:21:12
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wiseroy

木虫 (著名写手)

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
sunwh_cool: 金币+5, 有帮助, 谢谢 下一步考虑掺杂降低阻值 2013-07-07 08:34:55
引用回帖:
2楼: Originally posted by wiseroy at 2013-07-03 15:21:12
考虑热应力、膜材与基片结合性。有没有开裂用1000倍数光学显微镜先初步判断。

加热有可能类似于退火,阻值增加。
善良
3楼2013-07-06 19:23:49
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fengangelo

禁虫 (小有名气)

本帖内容被屏蔽

4楼2013-07-22 17:21:19
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dearmaximus

金虫 (正式写手)

迷途小书童/二手科学家

【答案】应助回帖

导致两个数量级阻值变化的原因有两个,分别是内部原因和外部原因
内部:空气中热退火导致晶体缺陷消除
外部:表面氧吸附
5楼2019-11-20 06:13:25
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