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Nano-mse

金虫 (小有名气)

[求助] 如何通过UV吸收曲线计算direct bandgap和indirect-bandgap

急问！如果只有UV吸收曲线(横坐标为波长，纵坐标为吸收值)，如何将其转化为那个可以得到直接带隙和间接带隙的图谱（横坐标为能量，纵坐标为吸收系数的2次方或者1/2次方）？非常感谢！！  

PS: 在论坛里找了几个，但是都没有给予清晰讲解的，很晕，希望可以得到解答，非常感谢您！
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1楼 2013-06-26 19:10:55
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ca0yan9

捐助贵宾 (文坛精英)

小木虫幼儿园荣誉园长

【答案】应助回帖

应该是吧，单位要特别注意的
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8楼2013-06-29 15:45:54
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ca0yan9

捐助贵宾 (文坛精英)

小木虫幼儿园荣誉园长

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
Nano-mse: 金币+10, ★★★很有帮助, 非常感谢您，您的方法2-4就是我想问的。还有请问，如果是液相法测得的数据，该用哪个方法呢？方法2吗？方法4是不是对于各种测试方法都适用呢？ 2013-06-26 20:44:19
方法1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值λg(nm)，
利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。
方法2：利用(Ahν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5
对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直
接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。
方法3：利用(αhν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5
对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为
直接半导体禁带宽度值。α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α与A成正比。
（1.先测样品的厚度d
  2.根据公式α=2.303*Abs/d，计算就可以得到吸收系数α）
方法4：利用[F(R∞)hν]2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用
[F(R∞)hν]0.5 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度
值，后者为直接半导体禁带宽度值。


(((1-col(B))^2/(2*col(B)))*6.626*10^-34*300000000/col(A))^1/2    （[F(R)hv]^1/2）纵坐标值
(6.626*10^(-34))*3*10^8/(col(A)*10^(-9))   (hv) 横坐标值
（[F(R)hv]^1/2）-(hv)    直接半导体禁带宽度
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2楼2013-06-26 19:58:33
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ca0yan9

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小木虫幼儿园荣誉园长

【答案】应助回帖

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Nano-mse: 金币+5, ★★★很有帮助, 而方法3只对用积分球的漫反射，测粉末固体样品有用？ 2013-06-26 20:45:48
（[F(R)hv]^1/2）-(hv)    直接半导体禁带宽度
（[F(R)hv]^2）-(hv)       间接半导体禁带宽度
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3楼2013-06-26 19:59:56
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ca0yan9

捐助贵宾 (文坛精英)

小木虫幼儿园荣誉园长
我理解的是都可以用于固体粉末的测试，4中的F(R)=（1-R）^/(2R), R为反射率，即R=1-A，固体紫外测试得到的是反射率，液体紫外得到的是吸收度。
可能就是说用于固体紫外了吧
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4楼2013-06-27 08:14:10
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