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Nano-mse金虫 (小有名气)
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如何通过UV吸收曲线计算direct bandgap和indirect-bandgap
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急问！如果只有UV吸收曲线(横坐标为波长，纵坐标为吸收值)，如何将其转化为那个可以得到直接带隙和间接带隙的图谱（横坐标为能量，纵坐标为吸收系数的2次方或者1/2次方）？非常感谢！！ PS: 在论坛里找了几个，但是都没有给予清晰讲解的，很晕，希望可以得到解答，非常感谢您！ |
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Nano-mse
金虫 (小有名气)
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7楼2013-06-29 13:48:39
ca0yan9
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
Nano-mse: 金币+10, ★★★很有帮助, 非常感谢您，您的方法2-4就是我想问的。还有请问，如果是液相法测得的数据，该用哪个方法呢？方法2吗？方法4是不是对于各种测试方法都适用呢？ 2013-06-26 20:44:19
感谢参与，应助指数 +1
Nano-mse: 金币+10, ★★★很有帮助, 非常感谢您，您的方法2-4就是我想问的。还有请问，如果是液相法测得的数据，该用哪个方法呢？方法2吗？方法4是不是对于各种测试方法都适用呢？ 2013-06-26 20:44:19
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方法1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值λg(nm)， 利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。 方法2：利用(Ahν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直 接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。 方法3：利用(αhν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为 直接半导体禁带宽度值。α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α与A成正比。 （1.先测样品的厚度d 2.根据公式α=2.303*Abs/d，计算就可以得到吸收系数α） 方法4：利用[F(R∞)hν]2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用 [F(R∞)hν]0.5 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度 值，后者为直接半导体禁带宽度值。 (((1-col(B))^2/(2*col(B)))*6.626*10^-34*300000000/col(A))^1/2 （[F(R)hv]^1/2）纵坐标值 (6.626*10^(-34))*3*10^8/(col(A)*10^(-9)) (hv) 横坐标值 （[F(R)hv]^1/2）-(hv) 直接半导体禁带宽度 |
2楼2013-06-26 19:58:33
ca0yan9
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3楼2013-06-26 19:59:56
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4楼2013-06-27 08:14:10
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