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一種半導體如果 帶隙 以及 晶相 不同， 導帶 及 價帶 位置要如何推算？
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大家好， 本人最近在做一系列的 WO3 光觸媒，發現雖然他們都是 單斜相，但是個別樣品的 帶隙 不同，2.5-2.8 eV 都有。在這种情況下，如果套用 Mulliken 公式，那麽 帶隙 越大的樣品 導帶（CB) 會更高，價帶（Vb）則更低。請問這種情況說得通嗎？ 另外，我發現用同一個 WO3-H2O，在不同條件下可制得 單斜體 m-WO3 以及 六角體 hex-WO3。他們的 帶隙 都是 2.5 左右。雖然成分都是 WO3，但晶相不同，他們的 CB 和 VB 位置會一樣嗎？ 要如何推算他們 CB，VB 的相對位置？？ |
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