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lwb870525

木虫 (著名写手)

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[求助] 对刘恩科半导体物理学那本书掌握好的请进

第七版第五章第六题，说画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，答案（网上很好找）中给出了光照后p型半导体中出现了电子和空穴的准费米能级。

现有一类似的题目如下：n型半导体材料的带隙宽度为Eg，对应的吸收边为λg，吸收系数为α。画出下列四种情况下的能带图：a 无光照； b 有光照，λ大于λg ；
c有光照 λ等于λg ；d 有光照，λ小于λg。

这个问题怎么破？

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人一旦过于认真，结果往往注定是悲剧；玩世不恭，有时候或许是喜剧，最多也就是部闹剧。喜剧皆大欢喜，闹剧一笑而过，悲剧却是一生的痛，赢得了社会，却输了自己

1楼 2013-06-18 20:44:33

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lwb870525

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引用回帖:

2楼: Originally posted by 孤帆89 at 2013-06-23 13:51:11
这题主要是看能带的变化~~~无光照时和入射波长大于吸收边波长的情况是一样能带图没变化~~~但是后两种情况在吸收长度内（1/a)能带分裂而到半导体体恢复无光照的情况内这是分裂大小大小不同~~至于是否考虑导带和价带的 ...

谢谢你的回答。临界情况下的入射波长等于吸收边为λg时，能带会有什么变化呢？