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lwb870525木虫 (著名写手)
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对刘恩科半导体物理学那本书掌握好的请进
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第七版第五章第六题，说画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，答案（网上很好找）中给出了光照后p型半导体中出现了电子和空穴的准费米能级。 现有一类似的题目如下：n型半导体材料的带隙宽度为Eg，对应的吸收边为λg，吸收系数为α。画出下列四种情况下的能带图：a 无光照； b 有光照，λ大于λg ； c有光照 λ等于λg ；d 有光照，λ小于λg。 这个问题怎么破？ |
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