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【奖励】本帖被评价70次，作者贺仪增加金币 55.4 个

贺仪

铁杆木虫 (著名写手)

[资源] 发一个最近发表的关于掺杂石墨烯的研究

题目：A 3N rule for the electronic properties of doped graphene
http://iopscience.iop.org/0957-4484/24/22/225705/

对石墨烯不是很熟悉的可以看看，里面有石墨烯能带折叠的信息。做石墨烯的都可以看看。
另外发现了一个挺有趣的，与碳纳米管与石墨烯带相似的3N规律。
abstract：
Doping a graphene sheet with different atoms is a promising method for tuning its electronic properties. We report a first-principle investigation on the electronic properties of N, B, S, Al, Si or P doped graphene. It is revealed that the doped graphene can show an interesting physical regularity, which can be described by a simple 3N rule: a doped graphene has a zero gap or a neglectable gap at the Dirac point when its primitive cell is 3N × 3N (N is an integer), otherwise there is a gap tunable by the dopant concentration. This unique 3N rule provides a useful guideline for the design of doped graphene for electronic applications.

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附件 1 : 0957-4484_24_22_225705.pdf

2013-06-02 13:55:52, 1.63 M

附件 2 : nano225705suppdata.pdf

2013-06-02 13:57:36, 2.47 M

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1楼2013-06-02 13:57:58

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回帖置顶 ( 共有1个 )

valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

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fzx2008: 回帖置顶 2013-07-04 23:22:55
fzx2008: 专家考核 2013-07-04 23:23:09

这个并不是打开石墨烯的带隙，只是Dirac点的带隙。由于掺杂导致载流子的引入，Fermi level并不会与Dirac点重合了，而是会移到价带或导带里面。而这个Dirac点的band gap openning仅是由于布里渊区折叠导致的。更物理的，请参考PHYSICAL REVIEW B 86, 045448 (2012)文章里的附录B4公式。