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发一个最近发表的关于掺杂石墨烯的研究
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题目：A 3N rule for the electronic properties of doped graphene http://iopscience.iop.org/0957-4484/24/22/225705/ 对石墨烯不是很熟悉的可以看看，里面有石墨烯能带折叠的信息。做石墨烯的都可以看看。 另外发现了一个挺有趣的，与碳纳米管与石墨烯带相似的3N规律。 abstract： Doping a graphene sheet with different atoms is a promising method for tuning its electronic properties. We report a first-principle investigation on the electronic properties of N, B, S, Al, Si or P doped graphene. It is revealed that the doped graphene can show an interesting physical regularity, which can be described by a simple 3N rule: a doped graphene has a zero gap or a neglectable gap at the Dirac point when its primitive cell is 3N × 3N (N is an integer), otherwise there is a gap tunable by the dopant concentration. This unique 3N rule provides a useful guideline for the design of doped graphene for electronic applications. |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 0957-4484_24_22_225705.pdf
- 附件 2 : nano225705suppdata.pdf
2013-06-02 13:55:52, 1.63 M
2013-06-02 13:57:36, 2.47 M
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