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gsp99

至尊木虫 (著名写手)

[求助] 结深测试仪

有谁使用过结深测试仪?能告诉型号、价格、性能等各指标最好了

(下面四位兄弟的答案离题太远了。“结深测试仪”就是仪器的名称,我需要知道的是这种仪器的信息,不是如何去测结深)

[ Last edited by gsp99 on 2007-10-11 at 14:45 ]

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alibabashiqun

铁杆木虫 (知名作家)

传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对任何一步工序后的结深监控,也可以在流片完成后对最终的结深进行监控,相比传统测试方法,它的突出优点是不具有破坏性,并且可以设计成一种PCM测试结构进行监控.
5楼2007-10-11 14:15:43
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llmm0040122

木虫 (著名写手)

妈呀~~~超人啊o(∩_∩)o...

爱——可以无边无际恨——可以超越生死情——可以等待千年仇——可以淡化一切 MSN: y06112@hotmail.com
2楼2007-10-11 08:39:52
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feynman

铁杆木虫 (正式写手)

- 1 -
扩散深度的测量
一、目的
用磨角染色法测量扩散深度
二、原理
因为扩散结深很小,通常在微米数量级,要在扩散片的侧面直接测出扩散结深是很
困难的。因此,我们采用磨角染色法实现对结深的测试。
扩散后的P—N 结剖面,其P 区和N 区没有明显的界限,为了实现测量,必须把P
-N 结的位置显示出来,实验中用化学染色显示P—N 结的方法之一—硫酸铜液染色法。
由于Si 的电化学势比Cu 高,故Si 能从染色液中把Cu 置换出来,并在Si 片表面形成
红色铜镀层。又由于N 型Si 的电化学势比P 型Si 高,所以如果能恰当地掌握反应时机,
就能够使N 区镀上铜红色而P 区没有,这样就把P—N 结明显地显示出来。
(一)采用双光干涉波法测量结深。
在硅片表面加一块平板玻璃(要与硅片贴紧),干涉条纹是平板玻璃的下面反射的光线
和硅片斜面表面反射的光线相干涉所产生的。计算公式为
2n
X m
λ
= (6-1)
因为空气的折射率为1,因此扩散结深为:
2
X m j
λ
= (6-2)
(二)比较法测量
所谓比较法测量,是先用光学标尺给一等距离的小格尺定标,然后用给定的定标后
的小格尺度量样品。要使用格尺的最小格宽度小于光学标尺最小格放大影像的像线,下
边窄格线为使用的格尺线。比较二者看出,2 个光学标尺影像线格相对于12 个使用格
尺格。光学标尺格每格0.01mm,则使用格尺每格为
0.01mm 1.66666 10 mm 0.0016mm
12
2 × = × -3 ≅
再用格尺度量样品,可读出观察层厚度。
三、实验步骤
1.将硼再分布后的硅片用蜡粘在磨角器上固定。在毛玻璃上研磨出一个斜面来,表面
要求光洁,无伤痕。然后取下硅片,在丙酮溶液中先超声清洗三次,然后在乙醇中超声
清洗三次,最后用去离子水冲洗干净。
2.将清洗好的硅片放入染色液中,正面向上,用灯光照射30 秒左右,并注意观察,当
发现N 区染上红色后,立即将硅片夹入清水中洗一洗,用滤纸吸干,即可进行测量。染
色时间不可过长,否则P 区也会染上红色,P—N 结就显示不出来。
染色液配方为
CuSO4·5H2O ׃ 48%HF ׃ H2O = 5 克 ׃ 2 毫升 ׃ 50 毫升
- 2 -
4.将染好的硅片加一块平板玻璃,用钠光灯作为单色光源,用金相显微镜读出斜面上
扩散区干涉条纹数,用公式(6-2)计算x j 或用白光源,用比较法测出斜面投影宽度
再算出结深。
图6-1 比较法示意图
图6-2 磨角示意图
图6-3 结深xi 测试示意围
3楼2007-10-11 11:07:48
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blink0731

至尊木虫 (职业作家)

大海

4楼2007-10-11 12:43:15
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