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sara_ni

新虫 (初入文坛)

[求助] Vasp+electronic field

 我们知道vasp可以计算电场下体系的性质，但是说明书上没有对计算过程有一个详细的说明。那么计算过程是不是这个样子的呢？
1） 结构优化得到稳定构型
2）静态自恰计算
3）在第二步的INCAR中加入EFIELD，IDIPOL,LDIPOL 三个参数，进行计算。
如果想计算电场下的能带就把KPOINTS文件写出对应计算能带的，如果想计算DOS就用用计算DOS的KPOINTS文件。
如果是这样，也就是说电场对体系结构的影响很小，可以忽略，这样说对吗？
麻烦利用vasp做过电场计算的大仁们想一下，谢谢！
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1楼 2013-05-27 14:13:39
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njustlifeng

铁虫 (初入文坛)
同样有此疑惑，呼唤高手出现，解释一下
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RushTime
2楼2013-07-26 23:24:09
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