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Vasp+electronic field
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我们知道vasp可以计算电场下体系的性质，但是说明书上没有对计算过程有一个详细的说明。那么计算过程是不是这个样子的呢？ 1） 结构优化得到稳定构型 2）静态自恰计算 3）在第二步的INCAR中加入EFIELD，IDIPOL,LDIPOL 三个参数，进行计算。 如果想计算电场下的能带就把KPOINTS文件写出对应计算能带的，如果想计算DOS就用用计算DOS的KPOINTS文件。 如果是这样，也就是说电场对体系结构的影响很小，可以忽略，这样说对吗？ 麻烦利用vasp做过电场计算的大仁们想一下，谢谢！ |
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 vasp |
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njustlifeng
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