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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 关于元素参杂，在引起体系引入孤电子的问题
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enola

捐助贵宾 (正式写手)

[交流] 关于元素参杂，在引起体系引入孤电子的问题

各位专家，大家好。。
最近做计算，关于参杂有一个疑问，恳请大家指教：
首先我们拿一个简单的体系-硅（Si)
1. 假设我参杂Ge到Si bulk，那样我只要把其中的一个Si原子替换成Ge就可以的，因为他们的价电子是一样的；
接下来，我们考虑氧化锌（ZnO）
同样假设我要参杂La（La的氧化物是La2O3）到ZnO，假如我还是把其中的一个Zn替换成La, 那样不是说原先ZnO中会人为的引入一些hole（正电荷），因为一个La原子可以和3/2个氧结合，而原先一个Zn只能和一个O结合。
最后，假设我们在ZnO里参杂Pt，Pt通常认为是不活泼金属，那假如把一个Zn替换成Pt，那原先与Zn结合的O不是有留下孤对电子啦。
谢谢大家关注。。。
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1楼 2013-05-23 16:45:19
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enola

捐助贵宾 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by gaoyb18 at 2013-05-24 21:52:58
现在没办法想象出结果吧？文献里也没有交代的话，正是你应该去算的不是吗？计算一下布居值，然后从结果里分析啊。不知道回答的对不对，如果是我的话，我就先去计算一下看看结果再说。...

所以我觉得这个多出来的孤电子像是自参杂。
但是在实际的材料中，又不会这样，因为有其他的H或者固定电荷去中和。。。
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8楼2013-05-25 15:12:17
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gaoyb18

金虫 (小有名气)
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
enola: 金币+2, 谢谢 2013-05-24 12:33:46
个人理解

掺杂后化学键应该从新计算吧，也就是会形成新的化学键模式。可以计算一下新的键看一下。
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2楼2013-05-24 09:53:27
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enola

捐助贵宾 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by gaoyb18 at 2013-05-24 09:53:27
个人理解

掺杂后化学键应该从新计算吧，也就是会形成新的化学键模式。可以计算一下新的键看一下。

谢谢回复，但是假如我们考虑Pt参杂，那Pt不太会和O形成Pt-O键吧，这样O元素不是多出孤电子啦。。。
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3楼2013-05-24 12:33:32
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gzl9901

铁杆木虫 (文坛精英)
祝福，祝福，顶起来，抢顶楼！
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4楼2013-05-24 13:30:19
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