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海阔天空102

木虫 (正式写手)

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[求助] 关于RF场场源的定义

comsol初学者，不知道如何定义场源，或者说是入射光场。
当求解散射场的时候，可以在背景场中定义背景场对Eb赋值，
但选择求解全场的时候，没找到再那里可以赋值。对于2D求解，是不是应该在散射边界条件，选择某一个边进行赋值呢？
麻烦各位指点迷津。
1.假设入射场是一个1v/m的正弦或是余弦波，这怎么表示？
2. 2D 求解散射场，全场都分别在哪里定义入射光场？如何定义
3. 3D 求解散射场、全场，都分别在哪里定义入射光场？如何定义

初学者，各种迷雾，谢谢各位，越细越好！

散射场.jpg

全场.jpg

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电场可以穿透玻璃或硅晶体么？已经有9人回复

1楼 2013-05-13 09:50:58

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saiyfmac

银虫 (小有名气)

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★ ★ ★
xiegangmai: 金币+3, 谢谢参与！ 2013-05-26 12:39:29

第一个问题
在emw node 上面右击，选择port，设置Wave excitation at this port为On
在下面的Electric Field中定义入射光E＝E0*exp(-i*(kax*x+kay*y+kaz*z));
其中E0=[Ex0,Ey0,Ez0],通过这个可以定义直线偏光，如果需要定义其他偏光，再加上位相的项就ok了
emw.k=[kax,kay,kaz],通过这个来定义光的传播方向
第二个问题
求解散射的时候，定义背景光，就相当于定义了入射光，背景光＝入射光，定义方法如问题一答案
具体例子可以参考：《Radar Cross Section》可以从Comsol网站上下载
第三个问题回答如第二个问题
具体例子可以参考：《Scatterer on Substrate》,可以从Comsol网站上下载
这个例子比较难理解，
它先用没有散乱介质的时候求出背景光
然后用求得的那个背景光求解有散乱介质的时候的散射光
这样做的原因是，背景光的定义比较复杂，不能用公式来定义