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新虫 (初入文坛)

[求助] Ge+注入SiO2薄膜3.0eV（415nm）常温下测试的PL发光峰的光致发光机理是什么？

Ge+注入SiO2薄膜3.0eV（415nm）常温下测试的PL发光峰的光致发光机理是什么？我用的光源是Xe灯。谢谢各位老师，同学帮忙解答。

1楼 2013-05-03 11:12:13

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专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

感谢参与，应助指数 +1

可以用两种机理解释：
1）少量的Ge+注入SiO2薄膜，在SiO的禁带中形成陷阱，或色心，在光照条件下，SiO2价带中的电子跃迁到，陷阱或色心处，然后复合反光！
2）大量的Ge注入，会在SiO2薄膜中，偏析形成量子点，量子点具有荧光特性！

2楼2013-05-06 10:04:41

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